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◇当前所在位置：所有产品 >> 二三极管 场（chǎng）效应 晶闸管等 >> 场效应管
    RFP40N10
    描述：TO-220 进（jìn）口ST 40A,100V,0.04ohm,N沟道,硅,场效应（yīng）管
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格（gé）
  • 5
  • 另（lìng）议
  •  
    RFP40N10 台产
    描（miáo）述（shù）：TO-220 品（pǐn）牌VB N沟道（dào） 100V 45A 内阻（zǔ）32mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 3.2
  • 另议
  •  
    MTP60N15
    描（miáo）述：TO-220 台（tái）产
  • 数（shù）量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 5.5
  • 另议
  •  
    数量：个（gè）；价（jià）格：元
    TP0610L 散新
    描述：TO-92，品牌（pái）威士，180mA,60V,P沟道,硅小（xiǎo）信号,场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 7.5
  • 另（lìng）议
  •  
    SSF6010 台产（chǎn）
    描述：TO-220 台产SILIKRON 64A,60V,0.013欧姆（mǔ）, N沟道
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 另议
  •  
    FDC604P
    描述（shù）：SOT-6 P沟道,漏（lòu）极电流ID=-5.5A at 25摄氏度,漏源击穿（chuān）电压VDSS=-20V,漏源电（diàn）阻RDS(on)=0.033欧 at 栅（shān）源（yuán）电压VGS=-4.5V 漏极电流ID=-5.5A,漏源电阻（zǔ）RDS(on)=0.043欧（ōu） at 栅源电压VGS=-2.5V 漏极（jí）电流ID=-4.8A,漏源电阻RDS(on)=0.060欧 at 栅源电压（yā）VGS=-1.8V 漏极电流ID=-4.0A,耗（hào）散（sàn）功率PD=1.6W at 25摄氏度
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 2.5
  • 另议
  •  
    IPP14N03LA
    描（miáo）述：P-TO220-3-1原装进口 N沟道,通态漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电（diàn）压（yā）VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗（hào）散（sàn）功率（lǜ）PD=46W at 25摄氏度
  • 数量（liàng）
  • 1
  •  
  •  
  • 价格
  • 11
  •  
  •  
    IPI14N03LA
    描述：P-TO262-3-1 原装进口 N沟道,通态漏极（jí）电流ID=30A at 25摄（shè）氏度,漏（lòu）源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流（liú）ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  •  
  •  
  • 价（jià）格
  • 11
  •  
  •  
    IPB14N03LA
    描述（shù）：P-TO263-3-2 原（yuán）装进口 N沟道,漏极（jí）电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压（yā）VDSS=25V,漏源（yuán）电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源（yuán）电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功（gōng）率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量（liàng）
  • 1
  •  
  •  
  • 价格
  • 7.0
  •  
  •  
    IPB114N03L
    描述：PG-TO263-3 N沟道,漏（lòu）极（jí）电流ID=30A at 25摄氏（shì）度,漏源击穿电（diàn）压VDSS=30V,漏源电阻RDS(on)<=0.0114欧（ōu） at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=38W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 3.5
  • 3
  •  
    IPB09N03LA 散新
    描述：P-TO263-3-2 散新 品牌infineon N沟道,漏极电流ID=50A at 25摄（shè）氏度（dù）,漏源（yuán）击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)=0.0089欧 at 栅源电（diàn）压VGS=10V 漏极电流ID=30A,耗散功率PD=63W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3
  • 2.5
  •  
    IPB09N03LA 进口
    描述：P-TO263-3-2 品牌infineon N沟道,通态漏（lòu）极电流ID=50A at 25摄氏度,漏（lòu）源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)=0.0089欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A,耗散（sàn）功率PD=63W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 4.5
  • 另议（yì）
  •  
    IPB039N04LG
    描述：PG-TO263-3 N沟道,漏极（jí）电流ID=80A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=40V,漏源电阻RDS(on)<=0.039欧 at 栅源电压（yā）VGS=10V 漏极电流ID=80A,耗散功率PD=94W at 25摄氏（shì）度（dù）
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5.3
  • 4.7
  •  
    BSS84
    描述：SOT-23 P沟道,漏极电流ID=-0.13A at 25摄氏度（dù）,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)<=10欧（ōu） at 栅源电压（yā）VGS=-5V 漏（lòu）极（jí）电（diàn）流ID=-0.1A,耗散功率PD=0.36W at 25摄氏度
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 0.2
  • 0.15
  •  
    IRFD120
    描述：DIP4 N沟道,通态漏（lòu）极电流ID=1.3A at 25摄氏（shì）度,漏源击穿（chuān）电压VDSS=100V,漏源（yuán）电阻RDS(on)<=0.27欧
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 2.4
  • 2
  •  
    IRFD123
    名（míng）称（chēng）：IRFD123
    描述：4脚直插 N沟道,漏极电流（liú）ID=1.1A at 25摄（shè）氏度,漏源击穿电压VDSS=80V,漏源电阻RDS(on)<=0.4欧 at 栅源（yuán）电压VGS=10V 漏极（jí）电流ID=0.6A,耗散功（gōng）率PD<=1W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.7
  • 4.3
  •  
    2SK660
    描述：TO-92 N沟道 10mA 20V, 品牌（pái）NEC
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2
  • 另议（yì）
  •  
    BS170
    描述（shù）：TO-92 N沟（gōu）道（dào）,漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压（yā）VDSS=60V,漏（lòu）源电阻（zǔ）RDS(on)<=5欧（ōu） at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度（dù）
  • 数（shù）量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.3
  • 1.1
  •  
    BS170P
    描述：SOT223 国产infineon，N沟道 0.5A 60V,通态漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧（ōu） at 栅源电（diàn）压（yā）VGS=10V 漏极电（diàn）流（liú）ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 1.6
  • 另议
  •  
    数（shù）量：个（gè）；价格：元
    3DJ6F
    描述：TO-18 结型耗尽型场效应（yīng）管;N沟道、 20V 、15mA 、100mW
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 6
  • 另议
  •  
    数量（liàng）：个；价格：元
    2SK30A
    描（miáo）述：TO-92 N沟道 栅极电（diàn）流IG=10mA at 25摄（shè）氏度,栅漏击穿电压VGDS=-50V,耗散功率PD=0.1W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价（jià）格（gé）
  • 1.2
  • 0.9
  •  
    2SK1020 翻新
    描述：TO-3PL 品牌（pái）富（fù）士通（tōng） N沟道 30A,500V,0.25欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 15
  • 另议
  •  
    IRFU120
    描述（shù）：TO-251 进口IR N沟（gōu）道,漏极电流ID=7.7A at 25摄氏（shì）度,漏（lòu）源击穿电（diàn）压VDSS=100V,漏（lòu）源电阻RDS(on)=0.27欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流（liú）ID=4.6A,耗散功率PD=42W at 25摄氏度
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2
  • 1.7
  •  
    AOB414
    描述：TO-263 品（pǐn）牌（pái）AOS N沟道,通（tōng）态漏极电流ID=51A,漏源击（jī）穿（chuān）电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.0025欧（ōu） at 栅源电压VGS=10V
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 另（lìng）议
  •  
    FDG6322C
    描述：封装SOT363(SC706L) 品（pǐn）牌仙童 220 mA, 25 V,2通道（dào）, N和P沟道
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.2
  • 1
  •  
    FDMS86101
    描述（shù）：品牌仙童 封装QFN 贴（tiē）式8脚 N沟道（dào） 100V, 60A, 8mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 7.5
  • 另议
  •  
    IRFM120A
    描述：品牌仙童 SOT-223 N沟道 100V, 2.3A, 0.2Ω
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5
  • 另议
  •  
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